Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Реферативна база даних (3) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Суховій Н$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | 
Ляхова Н. М. Моделювання темплетних наноструктур [Електронний ресурс] / Н. М. Ляхова, В. І. Осінський, О. В. Семеновська, Н. О. Суховій, В. І. Тимофєєв, О. М. Фалєєва // Electronics and communications. - 2014. - Т. 19, № 5. - С. 32-36. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2014_19_5_8 Мета даних досліджень - знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. Досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлено залежність висоти проростаючої дислокації від її радіуса, а також досліджено вплив розузгодження гратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень. | ||
| 2. | 
Суховій Н. О. Дослідження застосувань нанотекстурованого сапфіру як темплету при MOCVD-гетероепітаксії ІІІ-нітридів [Електронний ресурс] / Н. О. Суховій, Н. М. Ляхова, І. В. Масол, В. І. Осінський // Реєстрація, зберігання і обробка даних. - 2018. - Т. 20, № 3. - С. 13–20. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/rzod_2018_20_3_4 Розглянуто придатність нанотемплетів текстурованого сапфіру в процесі MOCVD III-нітридів щодо застосування в GaN-фотодіодах ультрафіолетового (УФ) діапазону і для шарів акумулювання енергії. Визначено термодинамічні параметри (температуру, тиск) і прекурсори в процесі MOCVD для утворення нанотемплетів текстурованого сапфіру з радіусом нанопор (<< 10 нм) для формування низькодефектних гетероепітаксійних шарів III-нітридів. Зокрема, для епітаксіпних шарів p-GaN засвідчено низьку щільність проростаючих дислокацій (~5 x 10<^>6 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |